Intel Corporation y Micron Technology, Inc., ha anunciado hoy un nuevo hito en la tecnología flash NAND – el primer 20 nanómetros (nm), 128 gigabits (Gb), de células multinivel (MLC) del dispositivo. Las compañías también anunciaron la producción en masa de sus 64Gb NAND de 20nm, lo que amplía aún más el liderazgo de las empresas en tecnología de proceso NAND.

Desarrollado a través de Intel y de desarrollo conjunto de Micron empresa, IM Flash Technologies (IMFT), el nuevo 20nm dispositivo de 128Gb de memoria monolítica es la primera en la industria para permitir a un terabit (TB) de almacenamiento de datos en un paquete de punta de los dedos de tamaño mediante el uso de sólo ocho morir. También proporciona el doble de capacidad de almacenamiento y el rendimiento de las empresas existentes en dispositivos de 20nm NAND de 64 Gb. El dispositivo de 128Gb de memoria cumple con los de alta velocidad ONFI 3.0 especificación para alcanzar velocidades de 333 Megatransfers por segundo (MT / s), proporcionando a los clientes una solución de almacenamiento más rentable de estado sólido para adelgazar de hoy, los diseños de productos elegantes, incluyendo tabletas, teléfonos inteligentes y alta capacidad de unidades de estado sólido (SSDs.)

“A medida que los dispositivos portátiles se hacen más pequeños y delgados, y aumentar la demanda de servidores, nuestros clientes buscan a Micron para tecnologías innovadoras de almacenamiento y soluciones de sistemas que satisfacen estos retos”, dijo Glen Hawk, vicepresidente de la NAND de Micron Solutions Group. “Nuestra colaboración con Intel continúa ofreciendo tecnologías líderes NAND y la experiencia que son fundamentales para la construcción de esos sistemas”.

Las compañías también reveló que la clave de su éxito con la tecnología de proceso de 20 nm se debe a la estructura de la célula nueva e innovadora que permite la escalabilidad de células más agresivas que las arquitecturas convencionales. Su 20nm NAND utiliza una estructura de células planas – la primera en la industria – para superar las dificultades inherentes que acompañan a la tecnología de proceso avanzada, que permite un rendimiento y fiabilidad a la par con la generación anterior. La estructura de las células planas con éxito rompe las limitaciones de escala de la célula de la puerta NAND estándar flotante mediante la integración de la primera pila puerta Hi-K/metal en la producción de NAND.

“Es gratificante ver que el liderazgo viene de la NAND de Intel, el desarrollo conjunto con Micron primeros aún más ya que nuestros equipos de fabricación entregar estos de alta densidad, bajo costo, se calcula calidad 20nm NAND dispositivos”, dijo Rob Crooke, vicepresidente de Intel y gerente general de Intel no volátil de la memoria del grupo de soluciones. “A través de la utilización de la estructura de las células planas y la pila de la puerta Hi-K/Metal, IMFT continúa avanzando en la capacidad tecnológica de nuestras soluciones de memoria NAND flash para permitir a nuevos productos, servicios y factores de forma.”

La demanda de alta capacidad NAND flash de los dispositivos es impulsado por tres tendencias del mercado relacionadas entre sí: el crecimiento de almacenamiento de datos, el cambio a la nube y la proliferación de dispositivos portátiles. Como el contenido digital sigue creciendo, los usuarios esperan que los datos estén disponibles a través de una multitud de dispositivos, todo ello sincronizado a través de la nube. Acceder a datos con eficacia, los servidores requieren de alto rendimiento, alta capacidad de almacenamiento que ofrece NAND, y el almacenamiento en dispositivos móviles ha crecido consistentemente con un mayor acceso a los datos. Vídeo de alta definición es un ejemplo de una aplicación que requiere alta capacidad de almacenamiento, ya que intenta transmitir este tipo de datos puede crear una experiencia de usuario pobre. Estos avances crean grandes oportunidades para el alto rendimiento, que ocupa poco espacio de almacenamiento, tanto en los dispositivos móviles, que consumen el contenido y los servidores de almacenamiento que ofrecen.

Intel y Micron señaló que el incremento de la producción de diciembre de 20nm su producto 64Gb NAND flash permitirá una rápida transición hacia el dispositivo de 128Gb de memoria en el año 2012. Las muestras del dispositivo de 128Gb de memoria estará disponible en enero, seguido de cerca por la producción en masa en el primer semestre de 2012. El logro de este hito que permitirá una mayor densidad y la salida de fab general, al mismo tiempo ayudando a los equipos de las empresas el desarrollo de cultivar los conocimientos necesarios para diseñar soluciones de almacenamiento complejas y perfeccionar las tecnologías del futuro.