Hynix Semiconductor Inc. y Toshiba Corporation anunciaron hoy que han acordado una colaboración estratégica en el desarrollo conjunto de la memoria derivados de transferencia de par magnetorresistencia de acceso aleatorio (MRAM), un rápido emergentes siguiente dispositivo de memoria generación. Una vez que el desarrollo tecnológico se completa con éxito, las empresas tienen la intención de cooperar en la fabricación de productos MRAM en una empresa en participación. Hynix y Toshiba también han ampliado sus licencias cruzadas de patentes y acuerdos de suministro de productos.

Toshiba reconoce como una tecnología MRAM importante de la memoria de próxima generación con el potencial de crecimiento futuro de su negocio de semiconductores. Hynix tiene una tecnología de memoria avanzada, sobre todo en la optimización del proceso de fabricación y la competitividad de costes. La colaboración anunciada hoy, entre dos de los principales fabricantes mundiales de semiconductores en una nueva tecnología prometedora, se espera que haga una contribución significativa al progreso continuo de la industria mundial de semiconductores.

Una serie de características excepcionales, se han ganado MRAM el estado de la tecnología de memoria prometedora en el futuro. A la memoria no volátil, es también eficiente de la energía y opera a muy alta velocidad. Las aplicaciones que requieren alta densidad de memoria se espera que tomen ventaja de MRAM, y las principales aplicaciones iniciales se esperan en el mercado de telefonía móvil que, entre otras demandas de bajo consumo de energía.

Desarrollando una nueva tecnología siempre es propenso al riesgo. Una de las razones para la fusión de los recursos necesarios y la experiencia de Hynix y Toshiba es minimizar el riesgo y acelerar el ritmo de comercialización MRAM.

“MRAM es una joya rara llena de propiedades interesantes, como de ultra alta velocidad, bajo consumo de energía y de alta capacidad, y que desempeñará el papel de factor clave en el impulso de los avances en la memoria. También será un ajuste perfecto para la demanda del consumidor cada vez más sofisticados teléfonos inteligentes. MRAM es nuestra plataforma de crecimiento que viene “, dijo Kwon Chul Oh, CEO de Hynix.

“Creemos que la MRAM tiene un enorme potencial como altamente escalable RAM no volátil”, dijo Kiyoshi Kobayashi, Vicepresidente Corporativo de Toshiba Corporation, y presidente y CEO de semiconductores de Toshiba y la empresa de almacenamiento de los productos. “Le va a promover iniciativas de integración de soluciones de almacenamiento, incluida la MRAM, NAND, y disco duro. El programa de desarrollo conjunto con MRAM Hynix es uno de los pasos clave para apoyar nuestros esfuerzos. “

Información Adicional
Spin-de transferencia de par magnetorresistencia RAM (MRAM):
MRAM es una solución de memoria de próxima generación que usa las propiedades magnéticas para almacenar datos. A diferencia de DRAM, que distingue entre 0 y 1 por la que pasa un electrón a través de un condensador, los datos de MRAM se puede determinar midiendo la diferencia en la resistencia de la magnetización en una unión túnel magnética (MTJ). Los datos se graban y se guardan por la reorientación de la magnetización de una fina capa magnética en una magnetorresistencia túnel (TMR) con un elemento corriente de giro polarizado.